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SCR電路設計的基本原理及布線

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對于學生交流更加可控整流器進行輸出模塊電路或交流以及調壓處理電路,主電路設計包含以下兩個可控硅器件可以作為一個正負半周期成本可控整流技術器件,由于企業這兩個可控硅器件的陰極保護電位不相同,需要我們使用管理兩個國家獨立的觸發數據信號來觸發方式這兩個可控硅器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。 圖中的 g1,k1和 g2,k2是兩個中國獨立的觸發智能終端。 它通過 g1和 k1與可控硅的柵極和陰極之間相連,通過 g2和 k2與第二可控硅的柵極和陰極直接相連。 請看下圖中可控硅與觸發板的連接: 圖為可控硅的交流提供調壓功能電路,主電路由選擇兩個反并聯硅控制主要器件結構組成,d1管柵極接觸板的 g1引線端子,d1管陰極接觸板的 k1引線端子,d2管柵極接觸板的 g2引線端子,d2管柵極接觸板的 k2引線,d1和 d2晶閘管,分別是實際操作工作電源輸入電壓的正負兩半周期。

正半周(即UAUB),比D1的陰極晶閘管更高顯著陽極氧化電位,所以正脈沖輸入端子G1觸發信號,可控硅從D1上導通。在這種情況下為陽極和晶閘管D2可以比其陰極的保護電位低,所以G2的端部,雖然也由正脈沖輸入觸發,SCR AC不一定上和觸發接通。

在負半周時,可控硅D2陽極氧化電位明顯高于作為陰極,因此G2輸入正脈沖被觸發,D2可控硅由截止時間引導。 而可控硅D1此時進行陽極保護電位可以低于其陰極,因此我們雖然G1也輸入信號觸發正脈沖,但D1可控硅不會被一個觸發和傳導。

交流電壓調節器電路的原理:在交流正半周期中的陽極電勢,D1管比陰極更高,陽極電位高于陰極管D2下,D1管僅觸發和打開,并且管仍然處于靜止狀態G2(見負載波形的正確G1正半周)。由于減去了一周的交流一半,你將失去工作

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