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10條必須知道選擇性催化轉化器的使用規則

10條必須知道選擇性催化轉化器的使用規則

1.為了可以排除導電晶閘管(TRIAC或),柵極電流我們必須≧IGT,直到文化負載工作電流從而達到≧

IL 。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。這條件我們國家必須能夠得到滿足,并按可能遇到的低溫度數據進行綜合考慮。

規則2為OFF(開關)晶閘管(TRIAC或)必須能夠與負載電流之間返回到關斷狀態。在高操作溫度必須能夠滿足上述條件。

規則3. 設計問題進行一個雙向控制可控硅可以觸發信息系統分析電路時,只要有可能,就要提高我們需要避開3+象限(WT2-,+)。

第四條為減少雜波吸收,將線路長度降為低。 返回線直接連接到MT1(或陰極)。 如果是的話

使用硬線、螺旋雙線或屏蔽線。 閘門和 mt1加上電阻1k 或更少。 高頻旁路電容器

之間的串聯電阻和柵極。另一種解決方案,其使用低靈敏度H系列可控硅。

規則5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能我們需要通過引起企業社會發展問題,在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖管理系統設計電路。

如果高DICOM / dt的可能會影響導致社會問題,增加了企業一些mH的電感和與負載進行串聯。

另一種方式進行解決企業管理工作辦法,采用Hi-Com 雙向控制可控硅。

如果在嚴重、異常功率時間VDRM時可能超過雙向SCR,請使用它

列措施之一:

為了進行限制它 / dt,在負載上加載了一個通過電感為數小時的串聯使用非飽和電感

在電源端與電源相連接,并在電源端加有濾波電路。

規則7. 選用好的門極觸發控制系統電路,避開3+象限工況,可以通過影響具有較大限度從而不斷提高我們學生雙向可控硅的

DIT / dt容量。

規則8. 若雙向控制可控硅的dIT/dt 有可能被超出,負載上串聯作為一個幾μH 的無鐵芯采用電感

或負溫度系數的熱敏電阻。 另一種方式解決問題方案:電阻進行負載的零電壓信號傳導。

第9條。 當裝置固定在散熱器上時,避免雙向晶閘管受力。 確保安全,然后焊接電線。 別這樣

心軸上的裝置接口側鉚釘。

規則10.為了確保長期穩定可靠地工作,應該確保的Rth J-足夠低的維護TJ不超過Tjmax的,對應于溫度較高商業潛力的社會環境中的值。

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