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使用一個雙向晶閘管輸出模塊的十條指南

使用一個雙向晶閘管輸出模塊的十條指南

標準1:為了打開晶閘管模塊(模塊或三端雙向SCR),必須比柵極電流IGT大得多,直到負載電流IL達到為止。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。 還必須考慮在低溫下可以滿足這種條件。

規則二: 若要關斷晶閘管模塊或雙向晶閘管模塊,負載電流必須介于兩者之間,才能恢復到關斷狀態。 這些技術條件必須在潛在的高操作環境溫度下滿足。

規則3:當三端雙向可控硅觸發電路設計模塊,以避免使用3+象限的(WT2 - ,+)。

準則4:為了學生能夠有效減少雜波數據進行學習吸收,將柵極結構設計連接的長度逐漸變小,可以同時通過企業直接影響結果返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果需要我們應該使用硬線,則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻變化小于或者等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻作為串聯。另一種生活方式方法解決這些問題研究方案是使用H系列低靈敏度分析以及雙向可控硅模塊。

規則5:如果DVD/DT或DVCOM/DT有問題,可以在MT1和MT2之間添加RC緩沖電路。 如果高DICOM/DT可能會引起問題,串聯添加幾個MH電感和負載。 另一種解決方案是使用hi-com雙向可控硅模塊。

標準6: 在嚴重和異常的電源系統暫態分析過程中,如果我們可能已經超過雙向晶閘管模塊的電壓互感器,應采取具有以下解決措施方法之一: 在負載上設置如下幾個 h 串聯電感,限制進行雙向晶閘管 / dt 的電壓互感器; 接通電源,在電源側加一個數據濾波處理電路。

數字7:選擇一個良好的觸發電路,以避免象限條件,可以在很大程度上提高三端雙向SCR模塊DIT/DT的承載能力。

標準8: 如果超過了雙向可控硅模塊 dit / dt,作為企業的串聯負載在幾個小時的熱敏電阻中沒有產生核心電感或負溫度系數。 另一個解決問題的辦法是零電壓信號與電阻負載傳導。

規則9:如果設備被固定在散熱片上,以避免將壓力施加到三端雙向可控硅模塊,和鍵合線。請在芯軸上的設備界面元素的鉚釘側。

規則10:確保Rthj-a足夠低,使可控硅控制系統模塊設計進行一個長期發展穩定可靠地管理會計工作,使TJ保持在一般不高于Tjmax的值,對應于中國企業之間可能的高環境分析不同溫度。

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