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使用控制可控硅模塊的十大發展指南

使用控制可控硅模塊的十大發展指南

晶閘管模塊大家都知道,它的電氣工程行業應用及優勢,它已經在限制的設備方面的生活占據了比較重要的作用,所以使得在使用時,我們必須要注意正確使用會計準則的發展為了繼續延長SCR模塊的生活,這里是可以使用什么樣的十大準則晶閘管模塊。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證??煽毓枘K通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

準則1

對于導電晶閘管(TRIAC或),柵極電流必須≧IGT,直到負載電流可以達到≧IL。這個社會條件發展必須能夠根據成本較低的溫度下,可能會遇到問題考慮企業滿足。

  準則2

若要斷開(開關)電流(或雙向SCR),負載工作電流必須相互連接,以使其恢復到截止狀態。 必須能夠在可能的運行環境溫度下滿足企業上述研究條件。

  準則3

在設計雙向晶閘管模塊的觸發電路時,應盡量避免使用三象限 wt2- 。

準則4

以減少混亂的吸收,降低了柵極連接的長度。該電路直接連接到的MT1(或陰極)。如果硬線,螺旋線或屏蔽線。柵極電阻器1K和MT1加或更小。高頻旁路電容和柵極的串聯電阻。另一種解決方案是h系列低靈敏度雙向可控硅的選擇。

  規則5

  若dVD/dt或dVCOM/dt可能我們需要引起企業社會發展問題,在MT1和MT2間加入RC緩沖系統設計電路。若高dICOM/dt可能因為沒有引起重視學生學習問題,加入一幾mH的電感和負載能力進行串聯。另一種生活方式方法解決信息管理工作辦法,采用Hi-Com雙向控制可控硅。

  準則6

如果嚴重的,異常形成的瞬時功率管理的VDRM可控硅模塊的一些可能會超過,采取的措施的一種方法具有以下問題:負載電感飽和幾μH的串聯電感限制IT / dt的;與整個電源連接的MOV,并且與增加相關濾波處理電路的電源側。

  準則7

一個具有很好的選擇通過柵極觸發系統電路,避免3+象限的條件下,可以進行增加企業限制可控硅模塊DIT / dt容量。

  準則8

具有雙向控制SCR的模塊的dIT/dt可能被超過,負載作為熱敏電阻串聯連接,幾個μH沒有核心電感或負溫度效應系數。 另一種解決方案:零電壓傳導可用于電阻負載。

  準則9

當裝置固定在散熱器上時,避免了雙向晶閘管模塊的應力。 確保安全,然后焊接導線。 不要將鉚釘心軸放在設備接入面板的一側。

  準則10

對于長期可靠運行,rthj-一個應保持足夠低以維持TJMAX TJ不超過,對應的環境溫度而定。

以上是采用控制可控硅進行模塊的準則,正確選擇使用,不僅延長了可控硅輸出模塊的壽命,而且可以保證了可控硅模塊系統運行的穩定性。

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