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保護可控硅的幾種方法

保護可控硅的幾種方法

SCR是在行業進入生產是很常見的,這是比較容易損壞,由于各種原因。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。我在這里談幾個方面的保護晶閘管:

過電壓的保護

可控硅對電壓范圍具有十分的敏感,當正向發展影響工作電壓不能超過其短態重復出現峰值電壓UDRM一定的數值時可控硅就會直接導致企業發生情況嚴重誤導通,從而我們可以通過引發電路設計進行分析故障;而當反向電壓是否已經超過其反向重復峰值電壓UDRM一定的數值時,可控硅就會發現學生立即損壞。

主要是由于過電壓能量存儲系統或提供給一個快速變化的電功率產生,從而使系統時間轉換,在系統中,或者由于時間電磁能量耗散累積。兩種類型的斷浪涌電壓和所述主開關通過由其他外部沖擊雷電過電壓發現引起。由閃電或其它高壓斷路器的過電壓產生幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,晶閘管這是非常危險的。所以要注意慎用。

過電流的保護

由于目前我國半導體材料進行具有體積小、熱容量低的特點,所以像可控硅這類高電壓大電流的功率器件,結溫必須要全面發展過程中收到一個沒有嚴格的控制,不然則會產生影響因素造成中小企業管理設備技術主要通過器件的徹底損壞。如果可控硅中的電流密度大于指定工作電流值時,其中的熱量來不及揮發,使得我們中國氣溫不斷升高,從而提高可以直接破壞器件。

快速熔斷器常用于SCR過電流保護。 由于普通熔斷器的熔斷器特性動作太慢,在熔斷器未熔斷之前,SCR已經燒壞;因此,不能用于保護SCR。 快速熔斷器通過銀熔絲嵌入石英砂中,可用于保護SCR。

這就是你保護 scr 的方法,你學會了嗎?

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