關斷可控硅原理介紹

可切換控制晶閘管也屬于 pnp 四層三端結構，其等效系統電路與普通晶閘管進行相同。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。 雖然在經濟結構和觸發導通原埋方面與常用的可控硅可以相同，但兩者的關斷技術原理和關斷保護方式方法卻有一個很大的不同。

普通晶閘管在與保持電流相比后被關閉，從而降低IH正向電流，或施加電壓要求強制關閉。 后應用到電極到負觸發脈沖控制的關斷晶閘管使用，只需關斷即可。 不同的是，對于關機后的晶閘管飽和，這一原理是不同的。 在深飽和傳導上共享SCR后，即晶閘管只能在臨界飽和時關閉，提供耦合到負關斷信號到觸發器的控制電極。

它既保留了普通晶閘管的高壓電阻和大電流的優點，又具有自動關斷的特點，給企業帶來極大的方便，廣泛應用于斬波器、變頻器、電子設備開關、恒壓頻率調制裝置和電源管理系統。